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A10 A11 CPU底部亮晶晶的元件是什么

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发表于 2020-5-22 16:00:52 | 显示全部楼层 |阅读模式

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这个图是什么?相信很多人都有这样的疑惑,ZXW带你来使劲瞎分析一下.


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我们以A10 CPU先为例,首先找一个残留在主板上的同类型元件线用仪器测试它是什么?


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用福禄克101万用表分别用电阻档,二极管档位,电容档测试此亮晶晶类似晶元焊接在A10 CPU下的4个元件, 电阻无穷,二极管压降无反应,电容档位显示182.9nF,可以判断此元件为电容,测试如果稍微受力会导致此器件轻微断裂

此时处于短路状态,此特征完全符合电容特性。


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通过对苹果供应商的查询,我们找到了一款特性很符合此器件的元件,请看由ZXW收集来的如下数据:

硅电容器

硅电容器是以高速用途的电源完整性、信号完整性为目标生产的。由于超低ESL(等效串联电感)和出色的高频特性,最适合电源去耦和高速数字IC的旁路用途。以超薄型,可以实现严格限制高度的先进组装技术(处理器封装、BGA的局域网端、嵌入式封装等)。独特的集成无源器件和设备(Integrated Passive Devices),实现了对于DC电压和温度的高稳定性,因此UESL电容器无需考虑去耦。

特点

超薄型

ESR和ESL极低

稳定性很高

低漏电流

采用无铅的NiAu镀层,也能利用自动焊接技术回流,或者进行人工作业。也能根据要求提供其他电极。

用途

适合高速IC的电源完整性

抑制电源噪声

电源分配网络的去耦

嵌入式电压调节器的旁路

高速接口的信号完整性

抑制高频噪声

用于智能手机的应用处理器、电源线的去耦

要求超薄型的所有用途

对以上器件和参数了解后,我们继续对A11上的类似器件进行分析。


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测试CPU上未知元件的各焊盘,几乎都处于类似于地短路状态,以此判断,此器件可能跨接在地线与各路核心主电源间,由于此器件管脚密集,间距很小,很难测量,但在两个脚间测试到116nF电容值,以A10 CPU推理判断A11多脚位器件,也应该为半导体硅电容,只是先前结构简单,发展到多个硅电容集合体,硅电容可以绑定在处理器,适合电源去耦和高速数字IC的旁路特性,可以判断A11 A10底部器件为半导体硅电容,经与业内维修大咖沟通,此器件在A10 A11上可以拆除,基本功能不受影响,但如果此元件开裂,未做拆除处理,会有各种怪故障,仔细想想,处理器各核心,数字电路供电出现电容断裂短路,肯定会不正常。各核心供电本身为大电流工作,内阻很低,此电容断裂短路,用万用表也基本无法判断是电容短路,还是本身内阻低。


A12也延续类似封装方式,由于未对A12拆解,占时不对A12评价,待以后再做测试!


以上分析测试仅代表ZXW团队自身想法与认知,如有错误,请以厂家元件规格书为基准。


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发表于 2020-9-1 15:57:46 | 显示全部楼层
受教了谢谢
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发表于 2021-8-25 19:06:52 | 显示全部楼层
我看起来像输入产品信息帖子。 您可以使用我们的手机号码列表为您的业务营销取得成功。 谢谢
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